机构名称：
¥ 1.0
引言在过去的几十年里，集成电路的特征尺寸按照摩尔定律不断缩小。光学光刻已进入低 k -1 区域[1]，[2]，所用光的波长仍为193 nm。因此，使用传统光刻工艺获得高图案保真度和掩模可印刷性变得越来越具有挑战性。此外，印刷晶圆图像对光刻条件的微小变化变得高度敏感。为了缓解这些问题，对光学光刻中的分辨率增强技术 (RET) 的要求变得更加严格[3]，[4]。最广泛采用的 RET 之一是光学邻近校正 (OPC) [5]，[6]，[7]，[8]，[9]。传统OPC中，光刻掩模版针对主图案进行预失真处理，以补偿印刷晶圆图像的不良失真。然而，随着关键尺寸的缩小和目标图案的复杂化，仅使用OPC很难在足够的工艺窗口下获得令人满意的印刷图像。
CTM-SRAF：基于连续传输掩模的约束...
主要关键词
相关文件推荐
