机构名称：
¥ 3.0
表示用于子场拼接制造工艺的四个段或子块。 (E) 柄尖电极布局（顶部）和 CMOS 电路布局（底部）的细节。 (F) 柄中一个金属层穿过拼接区域时的自上而下的扫描电子显微镜 (SEM) 图像（比例尺：1 µm）；左上：拼接重叠区域外的横截面；右上：最窄处的横截面；由于双重光刻胶曝光，金属线更窄。 (G) 柄尖机械研磨至 25° 的 SEM 照片；插图：探针 10
非人类灵长类动物大规模高密度全脑神经记录
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