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摘要 — 物联网 (IoT) 设备对低功耗静态随机存取存储器 (SRAM) 单元的需求不断增长，这导致了各种 SRAM 单元拓扑的开发，这些拓扑可在保持性能和稳定性的同时最大限度地降低功耗。在本文中，我们基于不同的参数（例如功耗、延迟、面积、能量和稳定性）分析了各种 SRAM 设计。据观察，由六个晶体管组成的 6T SRAM 单元由于其简单性和低面积要求而成为使用最广泛的拓扑。然而，已经开发出更大的单元，例如 8T、9T 和 10T，以提高稳定性并降低功耗，尽管它们需要更多的面积。据观察，8T 在读取延迟方面效果更好，而 9T 在 9 方面效果更好。将 SRAM 单元缩小到更小的特征尺寸在保持稳定性和可靠性的同时最大限度地降低功耗方面提出了挑战。
低功耗静态随机存取存储器的回顾（...
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