机构名称：
¥ 2.0
图1：（a）具有SB 2 SE 3层的硅波导的横截面SEM图像，厚度为100 nm和20 nm SiO 2覆层。（b）在单独的面板和SEM覆盖（大面板）中显示氧（OKα），硅（SiKα）和硒（SELα）特征的MMI设备的能量色散光谱（EDS）分析。（a，b）中的所有比例尺均为200 nm。（c，d）测量的插入插入损耗的直形波导，其长度不同的SB 2 SE 3嵌入了五个不同的沉积厚度，用于晶状状态（C）和无定形状态（d），并归一化为无PCM的笔直波形。（e）db/ µm中的传播损失α针对SB 2 SE 3层厚度，用于无定形状态（钻石，蓝色）和晶状状态（圆，红色）。
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