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摘要：钻石具有巨大的希望，是高压和极端条件电气电子产品的材料，这是由于其出色的特性，例如高热电导率，较大的电场强度以及高载流子迁移率和饱和速度。然而，在室温下缺乏可靠的N型掺杂方法，使基于钻石的电子产品停滞了。这一挑战之所以出现，是因为供体能量水平深处在带隙内，从而使载体充分热激活所需的更高的温度。我将讨论我们开发的替代途径来克服这种瓶颈，通过将原子薄的N型钼二硫化物（MOS₂）单层掺入，作为伪型P型Pype PolyCrystalline和Single-Crystal dionmond的伪三角掺杂层。这使得在室温下有效运行垂直2D/3D异质结构P-N结二极管。i还将与钻石石墨烯讨论我们以前的工作，该工作证明了通过与钻石的特殊热接口获得创纪录的电流密度（〜10⁹A/cm²），以及通过使用低体温CVD流程在GAN上直接沉积GAN的纳米晶钻，并通过直接沉积纳米晶体钻石来实现。我们的演示提供了新的见解，并为开发可靠，高性能钻石的电子产品提供了一个整体平台，并与低维和半导体材料集成在一起，以提高效率。
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