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固态技术的进步导致硅光电塑料（SIPM）的使用增加，用于粒子物理仪器中的闪烁光检测[1]。，正在积极考虑使用SIPMS用于直接检测暗物质（例如拟议的XLZD实验[2]）的实验中，并潜在地升级到Lux-Zeplin（LZ）检测器[3-5]。与光电倍增管（PMTS）相比，吸引力是显着的：放射性障碍的大小和数量更紧凑，对磁场的弹性，较低的工作电压以及自然像素化的光敏感区域，可以改善事件重建。作为一个简短的描述，SIPM是雪崩光电二极管的像素化阵列：P-n连接反向偏向于其击穿电压。当像素检测到一级光子时，所得的Geiger模式的电荷载体也会发出次级光子[6，7]。这种副作用是硅雪崩设备的通用[8]。这些二次光子本身可以通过SIPM中的不同像素检测到，因此产生了过量的，虚假的信号，这种效果称为光串扰。1因此，SIPMS的缺点是以串扰，光子检测形式的过量信号的固有产生，这种效应以设备增益非线性地缩放[10，11]。光串扰只要内部包含在原始设备中，就可以轻松地校准。在这种情况下，效果通常称为内部串扰。这被称为外部串扰。如果在检测器中仪器进行了多种s尖，则可能发生不同设备之间的串扰。因为次级光子已经逃脱了原始设备并被另一个SIPM检测到，因此校准不再直接。以这种方式，不幸的是，SIPM表现为脉冲手电筒。的确，在单个设备水平上不可能进行外部串扰的校准，并且只能由粒子探测器系统中的其他设备进行测量。
UC Berkeley
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