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摘要：石墨烯/硅异径光电探测器由于高表面状态和界面处的低屏障高度而遭受高黑暗电流，这限制了它们的应用。在这项研究中，我们通过磁控溅射引入了HFO X界面层以解决此问题。使用这种新结构，在偏置电压为-2 V的情况下，暗电流降低了六次。在460 nm的照明下，响应性为0.228a/w，检测率为1.15×10 11 cmHz 1/2 w -1，噪声等效的功率为8.75×10-5 pw/hz 1/2/2/2/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/hz 1/2/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz。此外，HFO X界面层中的氧空位为电荷载体提供了导电通道，导致光电流增长2.03倍，外部量子效率为76.5％。光电探测器在低偏置电压下保持良好的光响应能力。这项工作展示了HFO X膜作为界面层材料的出色性能，并为高性能光电探测器提供了新的解决方案，以及提高太阳能电池光伏转换效率的新途径。
纳米材料
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