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摘要HFO 2基于基于HF 0.5 Zr 0.5 O 2的铁电极，由于其CMOS的兼容性和强大的纳米级铁电性，近年来引起了极大的关注。但是，疲劳是铁电应用中最棘手的问题之一。基于HFO 2的铁电特性的疲劳机制不同于常规的铁电材料，并且很少报道了基于HFO 2的基于HFO 2的疲劳机制的研究。在这项工作中，我们制造了10 nm HF 0.5 Zr 0.5 O 2外延膜并研究疲劳机制。实验数据表明，在10 8个周期后，Remanent铁电化值降低了50％。值得注意的是，疲劳的HF 0.5 ZR 0.5 O 2外延膜可以通过施加电刺激来恢复。结合了温度依赖性的耐力分析，我们提出，HF 0.5 ZR 0.5 O 2膜的疲劳来自铁电PCA2 1与抗纤维自由PBCA之间的相变，以及固定的缺陷和抑制了偶极子。此结果提供了对基于HFO 2的胶片系统的基本理解，并可以为随后的研究和未来应用提供重要的指南。
可逆的疲劳复制程序及其在HF0.5ZR0.5O2外延膜中的机制
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