机构名称：
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摘要：在进行STT-MRAM设备中磁化动力学的研究时，我们采用了自旋漂移 - 扩散模型来解决后跳跃效果。此问题表现为在复合材料的自由层中或合成反铁磁铁中的参考层中的不需要切换 - 随着设备小型化的挑战，这种挑战变得更加明显。尽管这种微型化旨在提高记忆密度，但它会无意中损害数据完整性。与此检查平行，我们对多层结构内界面交换耦合的研究揭示了对Spintronic设备的功效和可靠性的批判性见解。我们特别仔细研究了通过非磁层介导的交换耦合如何影响相邻铁磁层之间的磁相互作用，从而影响了它们的磁稳定性和域壁的运动。这项研究对于理解多层结构中的开关行为至关重要。使用电荷和自旋电流的综合方法，表明对MRAM动力学有了全面的了解。它强调了交换耦合的战略优化，以提高多层自旋设备的性能。预计此类增强功能会鼓励改善数据保留和记忆设备的写入/阅读速度。这项研究标志着高能力，高性能记忆技术的完善方面的重大飞跃。
Micromachines -Repositum -Tu Wien
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