机构名称：
¥ 1.0
最常见的结构类型之一是Thcr 2 Si 2 -type家族，这是Ban和Sikirica在1965年报告的。1,2该结构类型的一般公式为O and表示为AM 2 x 2（a =碱，碱 - 地球，稀土或早期过渡金属； m =过渡金属或主要组元素； x =主组元素或晚期元件或晚期转换金属）。THCR 2 Si 2 -type化合物主要在四方I 4/ mmm空间组中结晶。[m 2 x 2] - 层沿着层间阳离子的晶体学[001]方向堆叠，位于层间空间中的a位阳离子。这些材料的独特结构特征产生了各种特性，例如超导性，3 - 6磁性，7 - 9，以及最近的热电学。10 - 12个元素的选择性偏好，以占据m-座或x-点。例如，Al更喜欢诸如CEGA 2 Al 2，
THCR2SI2 -RSC Publishing中的半导体黑羊
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