实用的量子网络将需要由许多内存量子位组成的量子节点。这反过来将增加控制每个量子线所需的光子电路的复杂性，并需要策略以多重记忆并克服其过渡频率的不均匀分布。在可见的近红外（VNIR）波长范围内运行的集成光子学，与领先的量子内存系统的过渡频率兼容，可以为这些需求提供解决方案。在这项工作中，我们意识到了VNIR薄膜锂Nio-bate（TFLN）集成光子平台与关键组件，以满足这些要求。这些包括低损失耦合器（<1 dB/ - facet），开关（> 20 dB灭绝）和高带宽的电光调节器（> 50 GHz）。使用这些设备，我们证明了高效率和与CW兼容的频率变化（在15 GHz时效率> 50％），以及通过嵌套调制器结构的同时激光振幅和频率控制。最后，我们突出显示了使用演示的TFLN