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图1超导性和异常大厅效应在锂插入的FESE中共存。实验设置的示意图。b温度依赖性电阻在锂插入后的样品S1上的不同触点测量。插图是样品S1的光学图像，在用H-BN上限之前拍摄。𝑅的上指数对应于插图中显示的触点。c和d大厅的电阻是锂插入后同一FESE样品上三对触点的垂直磁场的函数。𝑅表示所使用的触点（如图2b）。它们以150 K（C）和50 K（d）为单位。数据是从原始数据中抗对称的（请参阅方法）。曲线被垂直偏移，以确保清晰。虚线标记不同数据集的零霍尔电阻。箭头指示磁场的横向方向。
II型超导率在PB-BI合金中为9K
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arxiv：2405.14199v1 [cs.ro] 2024年5月23日](/simg/a/a947c73d5b5f630ea90401ba6e17ae199347bc3d.webp)