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随着传感器技术的快速发展，摩洛电纳米生成器（TENGS）已成为智能电子产品的有前途的可持续电源。在此制造了一种新型的3-氨基丙基三乙氧基硅烷（CORE）和2,2-双（羟甲基）丁酸（单体）基于单体超支线聚酯的丁酸（单体）的超支聚酯，可通过便利的单步多粘密度技术（SI-HBP-G2）（SI-HBP-G2）。此外，SI-HBP-G2混合纤维混合物的新型聚偏二氟（PVDF）和不同的重量百分比（0、5、10、15和20 wt％）是由传统的静电纺织技术制备的。使用SEM/EDS，FTIR，NMR和XRD研究表征了准备的Si-HBP-G2及其混合物。使用铝（AL）作为计数器电极评估Si-HBP-G2含量对打开电路电势（V OC）和短路电流（I SC）的影响。其中，Si-HBP-G2/PVDF杂交垫（PG2-15）的15 wt％表现出卓越的电性能。几乎增加了5.9倍（22–130 V）的V OC和I SC的4.9倍（0.71–3.5μa），而不是PVDFFILEBER。这些结果揭示了Si-HBP-G2在底环式性能中的重要性。优化的TENG设备（PG2-15/al-Teng）在100mΩ外部负载下表现出0.2 wm-2的峰值密度。最后，PG2-15/al-Teng实际上展示了实时应用能源收集应用，例如为100个LED和秒表供电。
bis（羟甲基）丁酸
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