机构名称：
¥ 1.0
标准互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术及其 FinFET 形式的先进技术推动了电子行业取得了非凡的成功。虽然 CMOS 技术可能会继续为下一代计算平台提供其非常强大的性能，但很明显，从长远来看，它在扩展方面面临重大挑战，受到功耗和功率密度限制，可能无法满足新兴应用的新需求。这将需要超越 CMOS 的技术来介入和增强 CMOS。无论是用于逻辑设计的节能可扩展开关设计，还是非易失性存储器，还是用于通用计算机和专用加速器的存储器和逻辑功能的集成，对应用量子材料来实现这些新型微电子设备的需求都激增。为了有效利用新兴技术独特且前景广阔的属性，至关重要的是，它们的实验发现和进步必须得到对基础物理及其在材料、器件、电路和系统层面的影响的理解的良好支持。为了加速和实现这一目标，新型材料和器件的建模有望发挥重要作用。一方面，模型应提供有关材料特性和设备操作和可扩展性的重要物理见解；另一方面，它们应能够高效准确地估计基于新兴技术的电路的性能和能效。因此，在我们应对寻找计算和存储革命性突破的挑战时，需要不同设计抽象级别的模型。
专题 - IEEE CEDA
主要关键词
相关文件推荐
