详细内容或原文请订阅后点击阅览
商务部宣布与 I-Pulse 达成最终协议，获得 2.5 亿美元的 CHIPS 研发奖，用于开发新型碳化硅半导体
美国商务部 CHIPS 研究与开发办公室今天宣布与 I-Pulse 签署最终协议，根据《CHIPS 和科学法案》授予 2.5 亿美元资金。
来源:美国国家标准与技术研究院__材料信息华盛顿特区 — 美国商务部 CHIPS 研究与开发办公室今天宣布与 I-Pulse 签署最终协议，根据《CHIPS 和科学法案》授予 2.5 亿美元资金。
CHIPS 研发奖为研发提供资金，以推进美国在新型碳化硅 (“SiC”) 功率半导体方面的技术领先地位和创新，这些半导体可以在极其恶劣的操作环境下运行。
I-Pulse 将与行业领先的联邦实验室、大学和专业制造商合作，开发用于高温、高电流、高电压固态开关的下一代 SiC 半导体。
“通过今天宣布的投资，特朗普政府正在加强美国的能力并提高其国家和能源安全目标，”商务部长霍华德·卢特尼克表示。
I-Pulse 的 SiC 功率半导体的一个关键应用是脉冲功率，即以纳秒为单位的间隔快速发射高能脉冲。通过在脉冲功率钻机中部署基于碳化硅的电力电子设备，地热和关键矿物采矿钻探可以比传统方法更高效、成本更低。除了地热和采矿之外，该技术还可用于脉冲电力系统，以实现和创新多个其他关键的军民两用和商业行业，包括先进制造、医疗和聚变发电。
“I-Pulse 的下一代碳化硅技术将改变极端环境下运营的游戏规则，”美国商务部半导体投资和创新执行董事 Bill Frauenhofer 表示。 “I-Pulse 的高功率、高频开关和封装经过精心设计，能够承受严酷的冲击和温度，使关键行业能够突破以前的技术极限。”
单击此处下载本新闻稿的 PDF 版本。