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辐射对粒子加速器用 GaN HEMT 的影响研究
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辐射对粒子加速器用 GaN HEMT 的影响研究

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 基于半导体异质结构的 GaN 器件：两种半导体材料的分层序列，其特征是带隙不连续 通过在 GaN 衬底上沉积一层薄薄​​的 AlGaN 来形成异质结构。

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