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本文研究了低能质子诱导多特征尺寸NAND闪存单粒子效应灵敏度。在0.41 MeV质子作用下，25nm和16nm闪存器件出现了单粒子效应截面峰值。SRIM模拟揭示了这种现象产生的主要原因，低能质子直接电离引起的单粒子翻转比高能质子核反应引起的单粒子翻转要高几个数量级。此外，还研究了累积剂量对闪存器件单粒子效应灵敏度的影响。随着累积剂量的增加，单粒子翻转截面显著增加。这种现象的出现是由于质子和累积剂量的结合引起的阈值电压偏移造成的。
核研究所和物理研究方法，A
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