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在过去的一年中，原子制造和晶体生长计划在单晶磷掺杂硅量子点的小型化方面取得了巨大进展。该计划的目标是使用基于全外延高磷掺杂硅平面栅极的方法（A. Fuhrer 等人，Nano Letters 9, 707 (2009)），将点中的 P 原子数量减少到单个供体水平，以便我们可以控制通过供体的电子传输并测量其激发光谱。全外延方法的优势在于，我们最终将获得远离表面和界面状态并被晶体环境包围的 P 原子量子比特。这样的环境有望使自旋量子比特在更长时间内保持相干性，并且当与原子精确掺杂剂放置相结合时，应能实现可扩展的量子比特架构。
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