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尽管可以用卢瑟福背散射光谱法 (RBS) 和 X 射线衍射 (XRD) 高精度地测量材料成分和应变，但这些技术非常耗时，并且提供的信息是样品相对较大区域的平均信息，远大于典型的设备尺寸。这使得它们不适合表征亚微米级的成分和应变变化，这种变化发生在例如选择性半导体生长过程中或结构化之后。透射电子显微镜 (TEM) 结合能量色散 X 射线光谱法 (EDXS) 或电子纳米衍射可以提供具有纳米级分辨率的成分和晶格信息，但是这些技术需要破坏被分析的样品。相反，微拉曼光谱可以提供亚微米分辨率和高速，并且是非破坏性的。因此，微拉曼光谱可以成为研究 Si x Ge 1 − x − y Sn y 层中材料成分和应变的有效工具。为了通过拉曼光谱测量成分和应变，必须推导出拉曼光谱峰位置与材料成分以及应变之间的经验关系。之前对 Si x Ge 1 − x − y Sn y 合金拉曼位移的研究
MBE 生长的 SixGe1 − x − ySny 合金的拉曼位移......
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