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摘要 硫族化物相变材料 (PCM) 在从非晶相结晶时表现出明显的光反射率和电阻率差异，是非挥发性光子和电子应用的主要候选材料。除了旗舰 Ge 2 Sb 2 Te 5 相变合金外，掺杂的 Sb 2 Te 合金，尤其是用于可重写光盘的 AgInSbTe，几十年来也得到了广泛的研究，尽管如此，关于这一重要 PCM 系列光学特性的理论见解仍然很少。在这里，我们进行了彻底的从头算模拟，以从原子层面了解 Sb 2 Te 和 AgInSbTe 的光学特性。我们表明，非晶相和结晶相之间的巨大光学差异源于母体化合物 Sb 2 Te 中键类型的变化。Ag 和 In 杂质主要用于稳定非晶相，对相变时介电函数的巨大变化影响甚微。
揭示 Sb2Te 和 AgInSbTe 中的光学对比……
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