机构名称：
¥ 1.0
当 V=0 时，' I ' 可以替换为 ' I s '。因此，可以从 ln( I s /T 2 ) 对 1/T 的图的 X 轴截距中提取理查森常数，其斜率是 BH 的函数。理查森图所需的 BH 和 IF 值是使用第 1 节中解释的步骤得出的。当 IF 和 BH 都与温度有关时，理查森图容易表现出非线性行为。由于 GeneSiC 二极管的 IF 和 BH 图几乎与温度无关（图 1），因此理查森图是完美的线性，如图 3 所示。提取的理查森常数为 138.2 A/cm 2 K 2 ，接近 4H-SiC 的理论值 146 A/cm 2 K 2 。提取的近理论理查森常数表明金属-半导体界面处 BH 的空间分布均匀。
1006 AN 1200 V 二极管理想值 BHx
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