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我们对低温三端开关纳米低温加速器 (nTron) 的传统几何形状进行了设计修改。通过包含并行载流通道对 nTron 的传统几何形状进行了修改，这种方法旨在提高设备在磁场环境中的性能。nTron 技术面临的共同挑战是在变化的磁场条件下保持高效运行。在这里，我们表明，并行通道配置的调整可提高栅极信号灵敏度、提高操作增益，并降低超导涡旋对高达 1 T 的磁场内 nTron 操作的影响。与受有效通道宽度限制的传统设计相反，并行纳米线通道允许更大的 nTron 横截面，进一步增强了设备的磁场弹性，同时由于局部电感降低而改善了电热恢复时间。nTron 设计的这一进步不仅增强了其在磁场中的功能，还扩大了其在技术环境中的适用性，为现有的 nTron 设备提供了一种简单的设计替代方案。
磁场中平行通道纳米低温加速器的设计和性能
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