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信息技术解决方案
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• 与传统 HDI 微电路制造工艺兼容，包括氧化物处理和湿化学镀通孔钻孔和清洁处理 • 与模制底部填充 (MUF) 相比，CTE 小于 12 ppm/°C，以提供整体轻微压缩应力保护和最小剪切应力，从而实现设备可靠性 • 分子设计可吸收应力 • 超低吸湿性，具有出色的防潮性 • 出色的绝缘电阻 • 满足底部填充和过度成型保护层压板配置

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