机构名称：
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在本文中，我们介绍了用于实现 FD-SOI 量子点器件的模拟流程。所提出的流程由一系列模拟组成，从结构的光学光刻制造开始，然后是几何表示和电气行为，最后是量子力学特征。对于我们器件的建模，我们分别使用了 STMicroelectronics 的内部软件 Optical Friendly DEdesign Check (OFDEC)、3D TCAD Sentaurus Process [8] 和 3D Quantum TCAD [9, 10] 模拟工具。本文给出的数值结果表明，我们上一代纳米结构 [11] 中出现的不必要的角落量子点和屏障控制问题现在已经消失。此外，我们的模拟表明，可以通过背栅偏置来控制波函数位置，这预示着 FD-SOI 技术在量子计算应用方面优于其他竞争技术 [12]。
工业实施的模拟流程——...
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