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对于高性能计算，希望从整体SOC中分解缓存存储器，并通过异源集成技术重新整合它。将缓存从整体SOC中重新定位会导致降低晚期硅死模尺寸，从而导致较高的产量和较低的成本。在这项研究中，我们评估了使用DECA模制的M-Series™嵌入式缓存扇出溶液之间高端3D硅互连解决方案和低端基板溶液之间差距的方法。deca的M系列芯片首先面对FOWLP平面结构是一个理想的平台，用于构建嵌入式插入器，用于处理器芯片，缓存内存和深沟槽电容器的异质集成。deca的自适应模式®允许扩展到处理器chiplet和缓存内存之间的高密度互连。考虑了嵌入式缓存插波器的三种不同配置。垂直堆叠的面对面配置最小化处理器和高速缓存之间的互连长度，而横向配置为铜堆积的铜堆积提供了铜的互连，从而可以进一步缩放互连间距。这两种配置都有其特定的好处和缺点，这些作品在这项工作中详细描述了。关键词自适应图案，嵌入式缓存插入器，扇出晶圆级包装，异质集成，高性能计算，M系列
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