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过渡金属氧化物的杂气界面表现出惊人的和多样化的术语,包括绝缘体到金属和非磁性到铁磁性转变。这些有趣的特征具有实施具有电子应用功能合并功能的新型设备的巨大潜力。[1,2]相相过渡金属氧化物表现出各种迷人的现象,因为它们的特性对缺陷结构和晶格障碍高度敏感。[3–7]但是,当其中两种材料在纳米级合并时,可能会出现新的电子现象。突然的界面构成了化学上的对称性和电子环境的破坏,从而在轨道,自旋,晶格和离子自由度之间产生了强烈的耦合,这决定了主体。[8]散装材料[4,5]降低了纳米级薄膜[9-11]和功能界面[12-14],为氧化氧化物提供了新的机会,但也导致了新的

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