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Rad-Hard标准单元在28nM TSMC中设计
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Rad-Hard标准单元在28nM TSMC中设计

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热度

这些影响是由于单个粒子之间的相互作用（例如重离子）和硅。如果释放的能量（LET，线性能传递）足够高，则可能会破坏CMOS结构（SEL，单个事件闩锁）中的闩锁或可能会损坏栅极（SEGR，单个事件门破裂）。必须在28nm的过程中考虑缓解措施。

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