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Quezon City，菲律宾1101年，摘要 - 对小型，便携式电子设备的需求一直在增加，直到今天。紧凑的电子设备将减少半导体的大小，这将转化为进一步缩小其中的组件，例如小轮廓二极管（SOD）和小轮廓晶体管（SOT）。这项工作利用有限元法采用断裂力学方法来分析不同的几何参数对硅死亡诱导裂纹的J积分的影响。此外，对两种模量弹性模量的影响对硅死模的裂纹倾向的研究进行了研究。获得的J积分值通常显示出具有中型硅的峰值，其模具附着材料具有较高的弹性模量。J-积分值通常会随着厚度而降低，但发现在100毫米厚度约为100毫米的最小值。进一步减少厚度会导致J积分的增加。模拟的结果将有助于确定这些参数对包裹对模具裂纹风险的可靠性的影响，并可以用于指导现有包装设计的改进。关键字 - die crack，j-integral，小排出线晶体管
调查硅死亡裂纹的变化硅死亡裂纹...
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