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摘要：一种新的传感器拓扑结构，旨在提取射频模拟整数电路（RF-IS）的功绩的形式。在标准的0.35 µM组合金属氧化物 - 氧化物 - 氧化型（CMOS）技术中实现，它包含两个块：一个单个金属氧化物 - 氧化物 - 轴导剂（MOS）晶体管，用作温度换能器，将其放置在电路附近的监控和一个活跃的带式填充器上放置。为了验证，将温度传感器与调谐的射频功率放大器（420 MHz）和可作为可控散射装置的MOS晶体管集成。首先，使用MOS耗散设备，表征了构成温度传感器的不同块的性能和局限性。第二，通过使用杂化技术（将两种色调应用于功率放大器（PA），并将传感器输出电压连接到低成本AC电压表，PA的输出功率及其中心频率被监视。结果，该拓扑结构导致了低成本方法，具有高线性和灵敏度，用于RF-IC测试和可变性监测。
基于BPF的热传感器电路用于RF电路的芯片测试
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