近年来,对包括微机电系统 (MEMS) 和传感器在内的越来越小的芯片的需求急剧增加。自动驾驶技术等技术正在腾飞,市场对减小封装尺寸和提高移动设备性能的压力也在增加。DDAF 越来越多地被用于这些应用中,以将芯片粘合到基板和其他芯片上。DDAF 可用于切割和芯片粘合工艺,取代了使用两种独立材料来切割和粘合芯片的需求。它由 DAF(芯片粘接膜)和基材组成,DAF 层将小芯片粘合到基板和其他芯片上。然而,传统的 DDAF 在芯片尺寸较小时容易出现转移故障 (TF)。这是一种故障模式,在芯片拾取 (PU) 过程中,DAF 层从芯片背面剥落。导致此问题的根本原因有多种;小型芯片的 DAF 附着面积较小,而为增加芯片强度而使芯片背面光滑,导致 DAF 无法锚定到芯片本身。通过使用具有高熔体粘度的 DAF,使 DAF 能够更好地锚定到芯片上,从而改善了 PU 工艺上的 TF。但是,由于材料无法嵌入到基板上,封装可靠性下降。探索了高基板嵌入抑制 TF 的影响因素。为了探索这些因素,实施了直角撕裂强度方法。在分析数据后,发现了一个抑制 TF 的新参数。该参数与 TF 显示出很强的相关性。开发了一种新的 DDAF,可减轻 PU 过程中的 TF。关键词 刀片切割、切割芯片贴膜、MEMS、直角撕裂强度法、转移失败
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