机构名称：
¥ 2.0
我们研究单层Rydberg状态的直接和间接磁脱糖，以及在外部平行电和磁场中的Xenes（硅，德国烯和Stanene）的双层异质结构，垂直于单层和异质结构。我们通过使用Rytova-keldysh的数值整合来计算Rydberg States，1 S，2 S，2 S，3 S，3 S和4 S的结合能，用于直接磁铁电位的电位，用于直接磁铁的潜力，以及Rytova-keldysh和rytova-keldysh和coulombys的潜力。后者允许了解筛查在Xenes中的作用。在外部垂直电场中，Xene单层的屈曲结构导致sublatices之间的潜在差异，从而使电子和孔质量调整磁性能量和磁性能量，以及磁磁相连的同系数（DMCS）。我们报告了电力和磁场对结合能和DMC的能量贡献。通过电力和磁场直接和间接杂志的能量贡献的可调性。还表明，直接激子的DMC可以通过电场调节，并且可以通过电场调谐间接磁性脱位的DMC，并通过HBN层的数量来操纵。因此，可以通过外部电气和磁场以及HBN层的数量来控制电子设备设计的可能性。Xenes单层和异质结构中磁性excitons的结合能和DMC的计算是新颖的，可以将其与实验结果进行比较。
平行电场和磁场对Rydberg的影响...
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