具有非类线性自旋结构的抗铁磁体显示出各种特性,使它们对自旋装置有吸引力。尽管磁化可忽略不计,但一些最有趣的例子是一个异常的大厅效应,并且具有异常的自旋极化方向的旋转大厅的作用。但是,只有在将样品主要设置为单个抗铁磁域状态时,才能观察到这些效应。只有在扰动补偿的自旋结构并由于旋转倾斜而显示较弱的力矩时才能实现这一目标,从而允许外部域控制。在立方非连续性抗铁磁铁的薄膜中,以前认为这种失衡需要底物应变引起的四方畸变。在这里,显示在Mn 3 snn和Mn 3 gan中,旋转倾斜是由于结构对称性降低引起的磁锰原子诱导的诱导,远离高对称位置。仅当仅探测晶格度量时,这些位移仍隐藏在X射线差异中,并且需要测量大量散射向量以解决局部原子位置。在Mn 3 SNN中,诱导的净力矩可以与异常的温度依赖性观察到异常的大厅的作用,这是由kagome平面内的散装温度依赖性相干旋转旋转引起的。