机构名称：
¥ 1.0
实现单模式发射的最简单方法是利用一个小的氧化孔（<3μm）。但是，由于串联电阻的增加，这强烈限制了输出功率，并使热滚动局部恶化。如[6]中所述，已经提出了几种设计，以提高单模内部的产量功率，例如基于表面浮雕的圆形VCSEL [15]，[16]或圆形设备，其Epi架构具有氧化物和静电波之间的特定对齐方式，通过修改几乎没有P-dbriairs [6] [6]。两种解决方案都呈现一个模式功率，左右为4÷6 mW。但是，对于使用VCSEL阵列或大型主动区域设备可以实现的功率水平仍然很低，具有多模式发射，因此较低的光谱纯度。例如，具有尺寸为40×10μm2的矩形活性区域的VCSEL报告了数十个MW的多模式功率[17]，[18]。
通过单个高阶模式操作通过大区域VCSEL的大量发射
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