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温带管理和空间的平衡导致平衡功率阶段与每个尺寸的瓦特相关,这会影响电源阶段的体系结构。可能出现的一个问题是,如果功率阶段需要以较高的频率工作。此问题通常存在于MOSFET中,但是与基于MOSFET的系统相比,GAN FET等新技术也可以提高开关性能。对于温度敏感的系统,GAN FET具有较高的理论效率,因为与MOSFET技术相比,切换损耗很小。频率增加会导致需要在MCU中进行其他功能,以支持在高度分辨率下实现更高频率切换所需的所需信号。
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