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然而，目前对基于 TIGFET 的设计的评估依赖于对功率、性能和面积 (PPA) 的近似，而不是传统的基于布局的方法。为了对设计区域进行系统评估，我们在此介绍了一个公开可用的预测过程设计套件 (PDK)，用于 10 纳米直径的硅纳米线 TIGFET 设备。这项工作包括一个 SPICE 模型和完整的定制物理设计文件，包括一份设计规则手册、一份设计规则检查和用于 Calibre® 的布局与原理图平台。我们通过实现基本逻辑门和全加器来验证设计规则，并将提取的指标与 FreePDK15nm TM PDK 进行比较。我们分别表明，在 XOR 门和 1 位全加器设计的情况下，面积减少了 26% 和 41%。通过差分功率分析研究支持此 PDK 在硬件安全优势方面的应用。
三独立预测过程设计套件......
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