摘要:纳米制造技术领域的突破性进步使量子比特技术走在了量子计算的最前沿。由于硅 (Si) 在现有经典计算中具有无与伦比的坚实基础,它被认为是开发互补金属氧化物半导体兼容量子架构的有希望的候选者。这篇评论文章生动地描述了量子点中量子比特操作的底层物理。此外,本文概述了当前的最先进技术以及过去二十年来 Si 和相关异质结构中电荷和自旋量子比特领域取得的显著进展。重点介绍了 Si 基电荷和自旋量子比特技术领域迄今为止面临的挑战和取得的成就。本文还讨论了量子比特技术的未来前景以及全球为物理实现设想的量子设备而采取的措施。
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