机构名称:
¥ 1.0
使用半导体晶圆厂制造的金属层。晶圆厂工艺的最后一步是钝化顶部金属开口,并使用粗(>10 m/10 m)线/间距 (L/S) 设计规则将钝化开口排列用于源极、漏极和栅极的后续 RDL 互连。功率晶体管 x 芯片通过贯穿基板的通孔转移到薄的大面积玻璃基板的底部,其有源面向下朝向封装基板。同样,CMOS 栅极驱动器 x 芯片在单独的硅晶圆上制造,并转移到玻璃基板的顶部,其有源面向上朝向负载芯片。功率晶体管和栅极驱动器之间的互连距离略大于 100 m,这显著降低了寄生效应和开关损耗。