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在过去的几十年中，已经使用多种不同的波导材料研究了光子综合电路（PIC），并且每种都在特定的关键指标中脱颖而出，例如有效的光发射，低传播损失，高电位效率和批量产生的潜力。尽管进行了持续的研究，但每个平台都表现出继承的缺点，结果刺激了混合和异质整合技术的研究，以创建更强大的跨平台设备。这是结合每个平台的最佳属性；但是，它需要针对材料系统的每种不同组合的特殊设计和其他制造过程的专门开发。在这项工作中，我们提出了一种新型的混合整合方案，该方案利用3D-Nanoprint的插入器实现光子chiplet互连系统。此方法代表了一个通用解决方案，可以很容易地在任何材料系统的芯片之间进行杂交，每个材料系统都在其自己的技术平台上制造，更重要的是，单个芯片的既定过程流程没有变化。开发出具有亚微米准确性的快速印刷过程，以形成芯片耦合框架和纤维引导漏斗，实现高达5：2的模式场差异（MFD）转换率（从SMF28光纤到4 µm×4 µm模式在Polymer waveide中，我们的知识尺寸为afters afters to Propuly Waverguide smf28纤维到4 µm×4 µm模式）纳米折叠成分。此外，我们在1480 nm至1620 nm之间的140 nm波长范围内，在硅和INP芯片之间证明了具有2.5 dB的死与DIE耦合损失的光子芯片互连系统。该混合集成计划可以桥接不同的波导材料，从而支持更全面的跨平台集成。
光子芯片互连通过3D-Nanoprinted interposer
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