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背景硅晶片中的氧气浓度对其电阻有重大影响。因此，在硅晶片中控制氧气的浓度，即使在极少量的情况下也是至关重要的。但是，分析高度掺杂的单晶时会出现挑战。由于其独特的特性和高掺杂水平，这些样品中氧的分析变得更加困难。杂质和掺杂剂的存在可以使用FT-IR光谱法干扰氧浓度的准确测量。
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