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YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2021）。 “ 根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。 2。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。 3。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。 4。 Sezgin，H.G。 和Özçelep，Y。 （2015）。 “功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2021）。 “根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。2。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。3。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。4。Sezgin，H.G。和Özçelep，Y。（2015）。“功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。
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