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Schottky接触是半导体和金属之间关键的界面，在纳米 - 症状导向器件中变得越来越重要。shottky屏障，也称为能量障碍，可以控制跨金属 - 高症导体界面的耗竭宽度和载体运输。控制或调整Schottky屏障高度（SBH）一直是任何半导体设备成功运营中的至关重要问题。本综述提供了SBH静态和动态调整方法的全面概述，特别关注纳米半导体设备的最新进步。这些方法涵盖了金属，界面间隙状态，表面修饰，较低图像的效果，外部电场，光照明和压电效应的工作函数。我们还讨论了克服界面间隙状态引起的费米级固定效应的策略，包括范德华触点和1D边缘金属触点。最后，这篇评论以这一领域的未来观点结束。2024科学中国出版社。由Elsevier B.V.和Science China Press出版。保留所有权利。
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