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分布式反馈 (DFB) 激光器是城域网中基于波分复用的收发器的研究重点。本文报道了在互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容 (001) Si 衬底上生长的首批 1.3 µm 量子点 (QD) DFB 激光器。实现了温度稳定的单纵模操作，边模抑制比超过 50 dB，阈值电流密度为 440 A cm −2。展示了 128 Gbit s − 1 的单通道速率，净频谱效率为 1.67 bits − 1 Hz − 1，使用 O 波段的五个通道，总传输容量为 640 Gbit s − 1。除了 QD 有源区生长之外，整体制造基本与量子阱 (QW) DFB 激光器的商业化工艺相同。这为 QD 技术进入之前由 QW 器件填充的商业应用提供了一条工艺兼容的途径。此外，在整个 CMOS 兼容 (001) Si 晶片上生长激光外延的能力还带来了降低成本、改善散热和制造可扩展性的额外好处。通过 III-V 族和 Si 的直接外延集成，人们可以设想光子学行业的一场革命，就像 CMOS 设计和加工彻底改变了微电子行业一样。从片上光学互连的系统角度讨论了这一点。
1.3 µm 量子点分布反馈激光器直接...
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