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具有高电子迁移率的二维硒化铋 (Bi 2 O 2 Se) 在未来高性能、柔性电子和光电子器件中具有优势。然而，薄片 Bi 2 O 2 Se 的转移相当具有挑战性，限制了其机械性能的测量和在柔性器件中的应用探索。这里，开发了一种可靠有效的聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 介导方法，可以将薄片 Bi 2 O 2 Se 薄片从生长基板转移到目标基板（如微机电系统基板）上。转移的薄片的高保真度源于 PDMS 薄膜的高粘附能和柔韧性。首次通过纳米压痕法实验获得了二维 Bi 2 O 2 Se 的机械性能。研究发现，少层 Bi 2 O 2 Se 具有 18–23 GPa 的二维半导体固有刚度，杨氏模量为 88.7 ± 14.4 GPa，与理论值一致。此外，少层 Bi 2 O 2 Se 可承受 3% 以上的高径向应变，表现出优异的柔韧性。二维 Bi 2 O 2 Se 的可靠转移方法和力学性能记录的开发共同填补了这种新兴材料力学性能理论预测与实验验证之间的空白，并将促进基于二维 Bi 2 O 2 Se 的柔性电子学和光电子学的发展。
2D Bi2O2Se 的高保真传输及其力学性能
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