通过腔量子电动力学增强单光子源发射是实现许多量子光学技术中适用发射器的关键。在这项工作中,我们提出了一种灵活方便的腔体制造工艺,该工艺将 SU-8 微带确定性地写入光子晶体波导,其中 InGaAs/GaAs 量子点作为发射器。条带腔在具有选定发射波长的量子点位置处进行激光图案化。进行了微光致发光研究,结果表明,在与单个量子点弱耦合的情况下,发射强度增强了 2.1 倍,时间分辨光致发光进一步显示 Purcell 增强因子为 2.16。因此,该制造工艺被证实是一种将确定性腔耦合引入选定量子点的可靠方法。