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Sara Iraci 等人在本文中，我们介绍了一种基于 NbxTi(1-x)N (NbTiN) 的超导双金属级 (2ML) BEOL 单元工艺，该工艺是在 imec 的 300 毫米试验线上使用半镶嵌流程和 193i 光刻技术开发的。该单元工艺的特点是直接金属蚀刻线的最小临界尺寸 (CD) 为 50 nm，浅平面化通孔的最小 CD 为 80 nm，沉积温度为 420 °C，与 CMOS BEOL 电介质兼容。50 nm NbTiN 线的归一化线电阻表明，95% 的器件符合预期电阻 800-1200 Ω/µm，与覆盖膜电阻率一致。低温测量表明，NbTiN 导线和通孔的临界温度为 12-13.5 K，临界电流密度为 80- 113mA/µm2。▪ 低电阻堆叠通孔金属化用于未来的互连，Marleen H. van
Imec 参加 2024 年国际互连技术会议
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