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这大大加速了研究，也带来了新的挑战。在光电子领域，研究人员和行业正在努力提高 UV-C 发射器的效率，制造稳定可靠的短波长激光器，开发可见的微型 LED，并了解缺陷在限制器件性能和可靠性方面的作用。对于射频器件，主要挑战与器件缩放、损耗最小化、开发合适的背障以最大限度地减少短沟道效应以及可靠性优化有关。功率器件的研究受到 Si 和碳化硅竞争的推动，旨在通过缩放和使用 8 英寸硅衬底来最大限度地降低器件成本，将最大工作电压提高到 kV 以上，优化器件结构以确保在关断状态下、正栅极应力下和硬开关条件下的高可靠性。人们正在付出大量努力来开发可靠的垂直 GaN 器件，能够处理高功率/电流水平，和/或在 kV 范围内工作。 GaN基集成电路领域的最新改进进一步推动了紧凑、可靠的电源转换器的发展。
维罗纳，2024 年 6 月 10 日至 12 日
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