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CMOS 技术的巨大成功以及由此带来的信息技术进步，无疑归功于 MOS 晶体管的微缩。三十多年来，MOS 晶体管的集成度和性能水平不断提高。随后，为了提供功能更强大的数字电子产品，MOSFET 的制造尺寸越来越小、密度越来越高、速度越来越快、成本越来越低。近年来，微缩速度不断加快，MOSFET 栅极长度已小于 40 纳米，器件已进入纳米世界（图 1）[1]-[2]。所谓的“体”MOSFET 是微电子技术的基本和历史性关键器件：在过去三十年中，其尺寸已缩小了约 10 3 倍。然而，体 MOSFET 的缩放最近遇到了重大限制，主要与栅极氧化物（SiO 2 ）漏电流 [3]-[4]、寄生短沟道效应的大幅增加以及迁移率急剧下降有关 [5]-[6]，这是由于高度掺杂的硅衬底正是为了减少这些短沟道效应而使用的。
数字设备和集成电路中单粒子效应的建模和仿真
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