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¥ 8.0
短期课程分为四个部分，均包含入门材料和高级主题。第一部分介绍电子辐射效应的基本机制，重点介绍各种设备和技术的位移损伤。第二部分重点介绍 MOS 晶体管中的总电离剂量引起的退化，讨论这些效应随着 CMOS 制造技术的进步而演变。第三部分介绍电子器件中的单粒子效应，并讨论用于在实验室中重现应用中观察到的故障机制的测试方法。最后一门课程介绍了对光子材料、设备和集成电路的影响，重点是光学材料、光纤、图像传感器和探测器像素阵列。下面提供了每个讲座的更详细描述。所涵盖的主题应能为该领域的新手以及经验丰富的工程师和科学家提供最新的材料和见解。
截至 2024 年 7 月 8 日
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