机构名称：
¥ 1.0
摘要 - 单层三维集成电路（M3D-IC）中的（MIV）的金属间层中的Miv（MIV）用于连接层间设备，并在多层跨多层提供功率和时钟信号。MIV的大小与逻辑门相当，因为由于顺序集成，底物层的显着降低。尽管MIV的尺寸很小，但MIV对相邻设备性能的影响应考虑在M3D-IC技术中实现IC设计。在这项工作中，我们会系统地研究晶体管在MIV附近放置的晶体管性能变化，以了解MIV通过底物时MIV对相邻设备的影响。仿真结果表明，应考虑使用MIV的保留区（KOZ）以确保M3D-IC技术的可靠性，并且该KOZ高度依赖于M3D-IC过程。在本文中，我们表明，考虑到M1金属螺距的MIV附近的晶体管，因为分离将具有高达68、668×增加泄漏电流，当通道掺杂为10 15 cm - 3，源/排水掺杂，10 18 cm -3
金属间层通过M3D IC
主要关键词
相关文件推荐
