抽象的超低能离子植入已成为掺杂二维材料和超薄膜的有吸引力的方法。基于二进制碰撞近似的新的动态蒙特卡洛计划Imintdyn允许对低能植入培养物和目标组成变化的可靠预测,以及对高能光离子散射的有效模拟。为了证明这些预测和模拟的质量,我们提出了一个模型案例实验,在该实验中,我们将W离子植入具有低(10 keV)和超低(20 eV)离子能量的四面体非晶碳中,并分析了W植入W具有高分辨率的Rutherford redScatter-Scattrant-ReClanter-Files。使用新的Imintdyn程序将该实验与对实验的离子固定相互作用的各个方面进行了完整模拟。一种独特的新型模拟选项,也与植入2D材料有关,是将空缺作为具有动态空位产生和歼灭的目标物种。虽然忽略空缺形成的模拟不能再现所测量的植入物,但我们发现模拟和测量的HR-RBS光谱之间有很好的一致性。我们还证明了同时弱碰撞在低弹丸能量下二进制碰撞近似中的重要作用。
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